bonjour,

j'ai dans la tête une envie de faire un petit ampli hybride.
Le but est "juste" de remplacer les tubes de puissance par des MOSFET.
Le problème c'est que je ne connais pas grand chose aux semi-conducteurs...
Le tout serais bien sûr symétrique et sans condos de liaison entre le drive et les MOSFET.
Donc soit c'est un remplacement "simple" des tubes avec deux MOS canal P, soit il y a une alim positive et négative et là c'st un peu plus dur.
Je n'est pas compris la différence entre les MOS à enrichissement et ceux a appauvrissement... tout les deux sont en canal N et P.
Si quelqu'un peut me l'expliquer ce serait sympa.

en fonction de ça tient le cahier des charges...

Adrien

Bonsoir,

Je ne vais parler que des transistors MOS canal N pour la facilité de comparaison avec un tube qui est aussi à canal N. Le fonctionnement du MOS est comparable à une penthode.
La grille 1 d'un tube est négatif par rapport à la cathode. C'est le cas d'un transistor MOS à appauvrissement.
Le MOS à enrichissement voit sa grille positive par rapport à la source (cathode).

Les transistors MOS à appauvrissement sont très rare.

L'avantage du transistor MOS est qu'il existe aussi en canal P ce qui, à mon avis, n'existe pas avec les tubes.

Une petite explication (en anglais) sur ces transistors MOS avec des dessins explicatifs:
http://www.mtmi.vu.lt/legacy/pfk/funkc_ ... mosfet.htm

Etienne

Ok merci. Donc je dois pouvoir attaquer une paire de MOS a enrichissement. Un canal N et un canal P pour alim négative et positive.
le drive étant deux cathode follower symetrique en liaison directe.

Salut

IRF150

http://www.bonavolta.ch/hobby/fr/audio/irf150.htm


2SK135 / 2SJ50

http://www.bonavolta.ch/hobby/fr/audio/abtine.htm


FrédO

Salut

[http://digilander.libero.it/essentialaudio/hybrid_circuit.htm]

Philippe